MT41K128M16JT-125 AUT:K vs K4B4G1646E-BYK000 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K128M16JT-125 AUT:K por Micron Technology e K4B4G1646E-BYK000 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT41K128M16JT-125 AUT:K - 2Gbit DDR3L SDRAM 96-FBGA | Micron
MT41K128M16JT-125 AUT:K ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | MT41K128M16JT-125 AUT:K | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $12,17 | $0,56 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 2 Gbit | 4 Gbit |
| Organização da memória | 128M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 13.75 ns | 1.25 ns |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Speed Grade | -125 (1600 MT/s) | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Encapsulamento | 96-FBGA (8x14) | 96-FBGA (BYK) |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Automotive Qualification | Yes (AUT part number suffix) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Marking Code | D9VKD | — |
| Taxa de dados | 1600 MT/s | — |
| Packaging Option | Tape & Reel (TR suffix variant available) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Recursos | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |